MEMORIA 4GB KVR16LN11/4 DDR3 1600MHZ LOW VONTAGE – KINGSTON

Características
– Marca: Kingston
– Modelo: KVR16LN11/4

Especificações
– CL(IDD): 11 ciclos
– Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.)
– Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
– Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
– Consumo de energia: 2.160 W*
– UL Rating: 94 V – 0
– Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
– Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.

Caracteristicas
– Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
– VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)
– 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
– 8 bancos internos independentes
– Latência CAS Programável: 11,10, 9, 8, 7, 6
– Latência programável adicional: 0, CL – 2, ou CL – 1 clock
– 8-bit pre-fetch
– Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
– Data Strobe Diferencial bi-direcional
– Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
– Terminação no Die usando o pino ODT
– Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
– Reset assíncrono
– PCB: Altura 0.740 (18,75mm) ou 1.180 (30,00mm), componente apenas de um lado

Garantia
– 12 meses

Peso
– 50 gramas (bruto com embalagem)